Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/2713
Title: Особенности формирования базового диэлектрика при вертикальном масштабировании микросхем
Authors: Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.
Issue Date: May-2010
Publisher: БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2010. - N 2. - С. 61-63.
Abstract: In IC vertical scaling with the bulk depth reduction of the formed p–n junctions the base dielectric thickness is necessitated to be accordingly decreased. It is shown, that the most of the requirements to the parameters and the quality of the base dielectric in scaling are met by the system SiO2 – Si3N4 0,02 and 0,13 um thick appropriately, which application ensures its double reproduction. = При вертикальном масштабировании интегральных микросхем с уменьшением глубин залегания формируемых p−n-переходов требуется одновременное уменьшение толщины базового диэлектрика. Показано, что наиболее полно всем требованиям, предъявляемым к параметрам и качеству базового диэлектрика при масштабировании, отвечает система SiO2 – Si3N4 толщиной 0,02 и 0,13 мкм соответственно, использование которой обеспечивает возможность его проведения до двух раз.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/2713
ISSN: 0321-0367
Appears in Collections:2010, №2 (май)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15Особенности Вестник_БГУ_Май_2010_Серия1_№2.pdf832,37 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.