Logo BSU

Search


Current filters:

Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 11-19 of 19 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2003Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2003ЭПР облученных гамма-квантами монокристаллов синтетического алмазаПоклонский, Н. А.; Гусаков, Г. А.; Лапчук, Н. М.; Горбачук, Н. И.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2011ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ермакова, А. В.