Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208243| Заглавие документа: | Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии |
| Другое заглавие: | Temperature and frequency dependences of reactive components of impedance of pn-junction on silicon / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 288-290. |
| Аннотация: | Исследовались температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса кремниевых диодов с pn-переходом, облученных быстрыми (средняя энергия E - 5 МэВ) электронами флюенсом Ф = 1016 см-2. Установлено, что процессы захвата и/или рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах приводят для частот ш ременного тока f> 1МГц к росту индуктивной составляющей импеданса облученных диодов при прямом смещении уменьшению емкостной составляющей при обратном смещении. Увеличение температуры сопровождается, при прочих равных условиях, уменьшением индуктивной и увеличением емкостной составляющих импеданса облученных диодов. |
| Аннотация (на другом языке): | The temperature and frequency dependencies of reactive components of impedance of silicon diodes with pn-junction irradiated by fast electrons (E= 5 meV, Ф = 1016 cm-2) have been investigated. It is established that the processes of trapping and/or recombination of charge carriers on radiation defects result in the growth of inductive impedance component of irradiated diodes under forward bias and the decrease of capacitance component under reverse bias for f > 1 MHz. The increase in temperature is accompanied by the decrease in inductive and the increase in capacitance components of impedance of irradiated diodes, the other conditions being the same. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208243 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 288-290.pdf | 2,98 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.