Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии

Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208243

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Поклонский, Н. А.	-
dc.contributor.author	Горбачук, Н. И.	-
dc.contributor.author	Шпаковский, С. В.	-
dc.date.accessioned	2018-11-06T08:07:13Z	-
dc.date.available	2018-11-06T08:07:13Z	-
dc.date.issued	2003	-
dc.identifier.citation	Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 288-290.	ru
dc.identifier.isbn	985-445-236-0; 985-445-235-2	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/208243	-
dc.description.abstract	Исследовались температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса кремниевых диодов с pn-переходом, облученных быстрыми (средняя энергия E - 5 МэВ) электронами флюенсом Ф = 1016 см-2. Установлено, что процессы захвата и/или рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах приводят для частот ш ременного тока f> 1МГц к росту индуктивной составляющей импеданса облученных диодов при прямом смещении уменьшению емкостной составляющей при обратном смещении. Увеличение температуры сопровождается, при прочих равных условиях, уменьшением индуктивной и увеличением емкостной составляющих импеданса облученных диодов.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Минск : БГУ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии	ru
dc.title.alternative	Temperature and frequency dependences of reactive components of impedance of pn-junction on silicon / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski	ru
dc.type	conference paper	ru
dc.description.alternative	The temperature and frequency dependencies of reactive components of impedance of silicon diodes with pn-junction irradiated by fast electrons (E= 5 meV, Ф = 1016 cm-2) have been investigated. It is established that the processes of trapping and/or recombination of charge carriers on radiation defects result in the growth of inductive impedance component of irradiated diodes under forward bias and the decrease of capacitance component under reverse bias for f > 1 MHz. The increase in temperature is accompanied by the decrease in inductive and the increase in capacitance components of impedance of irradiated diodes, the other conditions being the same.	ru
Appears in Collections:	2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
288-290.pdf		2,98 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar

CORE Recommender

PlumX