Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 21-30 из 81.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В Si1–xGex СПЛАВАХ: КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗГусаков, В. Е.
2010СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГАЗайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2010ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР МАКРОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ/ОКСИД ЦИНКАЧубенко, Е. Б.; Долгий, А. Л.; Клышко, А. А.
2010Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площадиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010Парамагнетизм поликристаллических CVD алмазных пленок, облученных нейтронамиПоклонская, О. Н.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2010Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнииДжадан, М.; Оскар Хосе Араика Ривера; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2010Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжигеВасильев, Ю. Б.; Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.