Skip navigation
Главная страница
Вход
Язык
English
русский
ISSN 2519-4437
(online)
Электронная библиотека БГУ
Физический факультет
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
Даты публикации
Авторы
Заглавия
Темы
Поиск
Поиск:
Вся Электронная библиотека
Физический факультет
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
Foundations & Advances in Nonlinear Science
Взаимодействие излучений с твердым телом
Материалы и структуры современной электроники
Молекулярные, мембранные и клеточные основы функционирования биосистем
Низкоразмерные системы
Фуллерены и фуллереноподобные структуры
2014. Fundamental problems of nuclear physics, atomic-power engineering and nuclear technologies
2020. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ: Секция "Физика полупроводников и наноэлектроники"
запрос
Текущие фильтры:
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Начать новый поиск
Добавить фильтры:
Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Результаты 21-30 из 41.
назад
1
2
3
4
5
далее
Найденные документы:
Предварительный просмотр
Дата выпуска
Заглавие
Автор(ы)
2008
Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур
Коршунов, Ф. П.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Маркевич, В. П.
;
Мурин, Л. И.
;
Шпаковский, С. В.
2007
Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B
Коршунов, Ф. П.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Мурин, Л. И.
;
Маркевич, В. П.
;
Абросимов, Н. В.
2018
Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа
Медведева, И. Ф.
;
Мурин, Л. И.
;
Маркевич, В. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Фадеева, Е. А.
2018
Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторах
Огородников, Д. А.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
2014
Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах
Ластовский, С. Б.
;
Коршунов, Ф. П.
;
Якушевич, А. С.
;
Латушко, Я. И.
;
Макаренко, Л. Ф.
1999
Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К
Ластовский, С. Б.
;
Гуринович, В. А.
;
Жданович, Н. Е.
;
Поклонский, Н. А.
;
Трощинский, В. Т.
2020
Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителях
Огородников, Д. А.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Кетько, А. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Лемешевская, А. М.
;
Цымбал, В. С.
2020
Радиационностойкие электронные компоненты для космической техники
Богатырев, Ю. В.
;
Кетько, А. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Лозицкий, Е. Г.
;
Огородников, Д. А.
;
Пиловец, С. А.
;
Шпаковский, С. В.
2010
Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурах
Коршунов, Ф. П.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Карась, В. И.
;
Малышев, В. С.
;
Сорока, С. А.
;
Шведов, С. В.
2014
Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов Земли
Якушевич, А. С.
;
Ластовский, С. Б.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Грабчиков, С. С.
;
Василенков, Н. А.
Просмотр
Автор
15
Богатырев, Ю. В.
12
Коршунов, Ф. П.
10
Мурин, Л. И.
9
Маркевич, В. П.
7
Макаренко, Л. Ф.
6
Огородников, Д. А.
6
Якушевич, А. С.
5
Горбачук, Н. И.
5
Поклонский, Н. А.
5
Шпаковский, С. В.
.
дальше >
Тема
41
ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
1
ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. О...
1
ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. О...
по дате выпуска
10
2020 - 2023
22
2010 - 2019
8
2000 - 2009
1
1999 - 1999