Просмотр "2024. Материалы и структуры современной электроники" Темы ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Результаты 1 - 10 из 133
| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2025 | Migration of impurity Ni atomic clusters in Si lattice | Ismaylov, B. K.; Zikrillayev, Z. N.; Ismailov, K. A.; Kenzhaev, Z. T.; Saparov, S. A. |
| 2025 | Optical activity in Mn doped As2S3 glasses | Zalamai, V. V.; Tiron, A. V. |
| 2025 | Temperature dependent parameters of single walled carbon nanotubes/Si heterojunctions | Dronina, L. A.; Kovalchuk, N. G.; Lutsenko, E. V.; Danilchyk, A. V.; Prischepa, S. L. |
| 2025 | Using multimedia to explain semiconductor physics to students | Ametov, R. A. |
| 2025 | Автоколебательная среда на основе компенсированного кремния | Зикриллаев, Н. Ф.; Аюпов, К. С.; Шоабдурахимова, М. М.; Сатторов, А. А.; Абдуллаева, Н. |
| 2025 | Асимптотический метод усреднения и динамический эффект Казимира в оптомеханике | Сайко, А. П.; Маркевич, С. А. |
| 2025 | Барьерные структуры на основе HPHT алмаза: фоточувствительность и ток, индуцированный электронным лучом | Мазаник, А. В.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.; Казючиц, В. Н. |
| 2025 | ВАХ структур Al/SiO2<InSb>/Si/Al: эволюция дефектов в процессе отжига | Леоненко, В. Ю.; Федотов, А. К.; Тысченко, И. Е.; Федотова, Ю. А. |
| 2025 | Влияние вертикальной геометрии периодических микроструктур Si/SiO2/Si на интенсивность поглощения оптического излучения | Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И. |
| 2025 | Влияние взаимодиффузии на решеточную теплопроводность в сверхрешетчатых нанопроволоках Si/Ge | Хомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Филонов, А. Б.; Мигас, Д. Б. |
