Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр "1999. Взаимодействие излучений с твердым телом" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 46 - 65 из 130 < предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
1999	Зарождение кристаллов меди в поле рентгеновского излучения при электрокристаллизации	Война, В. В.; Колодинский, А. М.; Сенько, А. Ф.
1999	Изменение параметров кремниевых ЛПД мм-диапазона в результате воздействия у-радиации	Щербина, Л. В.; Торчинская, Т. В.; Щербина, Е. С.; Полупан, Г. П.
1999	Изменение спектральной плотности шума кремниевых диодов при облучении гамма-квантами	Барановский, О. К.; Кучинский, П. В.; Лутковский, В. М.; Петрунин, А. П.; Савенок, Е. Д.
1999	Изменение типа фазового перехода в (CH3)2NH2AI(S04)2-6H20 под влиянием у-облучения	Шелег, А. У.; Декола, Т. И.; Теханович, Н. П.
1999	Изучение границы раздела фаз в структуре Ti/Si c применением Xe маркера	Ташлыков, И. С.; Бобрович, О. Г.; Вишняков, В. М.; Картер, Дж.
1999	Импульсно-плазменное модифицирование	Тюрин, Ю. Н.; Колисниченко, О. В.
1999	Ионная имплантация электротехнических материалов	Карват, Ч.; Жуковски, П.; Лиськевич, Е.
1999	Ионно-ассистированное осаждение покрытий на основе Zr и W на эластомер	Касперович, А. В.; Ташлыков, И. С.
1999	Использование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодов	Коршунов, Ф. П.; Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
1999	Исследование динамики изменения ювенильных поверхностей у-облученных и необлученных полупроводниковых кристаллов	Лиопо, В. А.; Шелег, А. У.; Картавцев, А. В.; Сенько, А. Ф.
1999	Исследование комбинированного метода электронно-лучевого поверхностного упрочнения сталей	Поболь, И. Л.; Нестерук, И. Г.; Голуб, В. М.
1999	Исследование новых методов создания мощных быстродействующих полупроводниковых приборов c использованием электронного облучения	Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
1999	Исследование распределения легирующего элемента в быстрозатвердевших сплавах Al-Sb c применением ускоренных ионов гелия	Ташлыкова-Бушкевич, И. И.
1999	Кинетика термолиза оксалата серебра при импульсном лазерном воздействии	Маркевич, М. И.; Пискунов, Ф. А.; Подольцев, А. С.
1999	Контроллер управления расходами газов в технологических процессах ионно-плазменного и ионно-лучевого осаждения многослойных покрытий	Бурмаков, А. П.; Игнатенко, И. И.; Коротков, К. Б.; Чёрный, В. Е.
1999	Лазерный отжиг многослойной полупроводниковом структуры GaAIAs / GaAs / GaAIAs / GaAI	Маркевич, М. И.; Подольцев, А. С.; Пискунов, Ф. А.; Чень Чао; Лю И
1999	Механизм радиационной стойкости контактов TiNx-GaAs	Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Войциховский, Д. И.; Смиян, О. Д.
1999	Микротвердость кобальта, имплантированного ионами бора	Корнийчук, М. Б.; Анищик, В. М.
1999	Моделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксации	Оболенский, С. В.
1999	Моделирование структурных превращений в поверхностном слое материалов при их имплантационной обработке	Ляпин, А. И.

Результаты 46 - 65 из 130 < предыдущий следующий >