Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203934
Title: Моделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксации
Other Titles: Modelling of radiation influence on shf semiconductor devices by relaxation time method / S.V. Obolensky
Authors: Оболенский, С. В.
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 33-36.
Abstract: Экспериментально исследована деградация концентрации и подвижности электронов, зависимости скорости электронов от электрического поля, зависимостей времен релаксации энергии и импульса электронов при нейтронном воздействии в n-GaAs. Показано, что приближение времен релаксации позволяет адекватно моделировать воздействие радиационного излучения на СВЧ приборы.
Abstract (in another language): Degradation of electron concentration and mobility, dependencies of electron drift velocity upon electric field, dependencies of energy relaxation time and pulse relaxation time upon average electron energy after neutron bombardment were investigated. N-GaAs was selected as the investigation object. Characteristics were measured and theoretically calculated by relaxation time method. It was shown that relaxation time approach is valid for simulation of radiation influence on SHF semiconductor devices.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/203934
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
33-36.pdf315,87 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.