Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203934| Заглавие документа: | Моделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксации |
| Другое заглавие: | Modelling of radiation influence on shf semiconductor devices by relaxation time method / S.V. Obolensky |
| Авторы: | Оболенский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 33-36. |
| Аннотация: | Экспериментально исследована деградация концентрации и подвижности электронов, зависимости скорости электронов от электрического поля, зависимостей времен релаксации энергии и импульса электронов при нейтронном воздействии в n-GaAs. Показано, что приближение времен релаксации позволяет адекватно моделировать воздействие радиационного излучения на СВЧ приборы. |
| Аннотация (на другом языке): | Degradation of electron concentration and mobility, dependencies of electron drift velocity upon electric field, dependencies of energy relaxation time and pulse relaxation time upon average electron energy after neutron bombardment were investigated. N-GaAs was selected as the investigation object. Characteristics were measured and theoretically calculated by relaxation time method. It was shown that relaxation time approach is valid for simulation of radiation influence on SHF semiconductor devices. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203934 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.