Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203934
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОболенский, С. В.-
dc.date.accessioned2018-08-22T10:34:44Z-
dc.date.available2018-08-22T10:34:44Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 33-36.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/203934-
dc.description.abstractЭкспериментально исследована деградация концентрации и подвижности электронов, зависимости скорости электронов от электрического поля, зависимостей времен релаксации энергии и импульса электронов при нейтронном воздействии в n-GaAs. Показано, что приближение времен релаксации позволяет адекватно моделировать воздействие радиационного излучения на СВЧ приборы.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМоделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксацииru
dc.title.alternativeModelling of radiation influence on shf semiconductor devices by relaxation time method / S.V. Obolenskyru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeDegradation of electron concentration and mobility, dependencies of electron drift velocity upon electric field, dependencies of energy relaxation time and pulse relaxation time upon average electron energy after neutron bombardment were investigated. N-GaAs was selected as the investigation object. Characteristics were measured and theoretically calculated by relaxation time method. It was shown that relaxation time approach is valid for simulation of radiation influence on SHF semiconductor devices.ru
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
33-36.pdf315,87 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.