Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203934
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОболенский, С. В.-
dc.date.accessioned2018-08-22T10:34:44Z-
dc.date.available2018-08-22T10:34:44Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 33-36.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/203934-
dc.description.abstractЭкспериментально исследована деградация концентрации и подвижности электронов, зависимости скорости электронов от электрического поля, зависимостей времен релаксации энергии и импульса электронов при нейтронном воздействии в n-GaAs. Показано, что приближение времен релаксации позволяет адекватно моделировать воздействие радиационного излучения на СВЧ приборы.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМоделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксацииru
dc.title.alternativeModelling of radiation influence on shf semiconductor devices by relaxation time method / S.V. Obolenskyru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeDegradation of electron concentration and mobility, dependencies of electron drift velocity upon electric field, dependencies of energy relaxation time and pulse relaxation time upon average electron energy after neutron bombardment were investigated. N-GaAs was selected as the investigation object. Characteristics were measured and theoretically calculated by relaxation time method. It was shown that relaxation time approach is valid for simulation of radiation influence on SHF semiconductor devices.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
33-36.pdf315,87 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.