Изучение границы раздела фаз в структуре Ti/Si c применением Xe маркера

Abstract

При изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки, получаемой методами ионно-ассистированного нанесения покрытий в условиях саморадиации (ИАНПУС), необходимо устанавливать границу раздела фаз в структуре пленка/подложка. C этой целью выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, который ассистированного нанесения покрытий в условиях саморадиации (ИАНПУС), необходимо устанавливать границу раздела фаз в структуре пленка/подложка. C этой целью выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, который имплантировался в кремниевые образцы с энергией 40 кэВ и дозами от 1 х1014 см’2 до 9х1014 см'2. Образцы кремния с введенным маркером ксенона модифицировали методом ИАНПУС на основе металла титана. Энергия ассистирующих ионов титана составляла 7 кэВ. Подготовленные и модифицированные таким образом образцы исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния (POP) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось компьютерное ионов титана составляла 7 кэВ. Подготовленные и модифицированные таким образом образцы исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния (POP) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось компьютерное моделирование с использованием программы RUMP. Анализ спектров POP и компьютерное моделирование позволили обнаружить встречные потоки элементов матрицы в покрытие. Наряду с сопутствующими примесями углерода и кислорода в состав пленки на основе металла входит 10-15 ат.% кремния.