Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206619
Title: Исследование новых методов создания мощных быстродействующих полупроводниковых приборов c использованием электронного облучения
Other Titles: Investigation of the new methods of the manufacture of the power fast semiconductor devices with the usage of electron irradiation / N.E.Jdanovitch, I.G.Marchenko
Authors: Жданович, Н. Е.
Марченко, И. Г.
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 138-140.
Abstract: Обсуждаются способы прецизионной обработки электронным облучением силовых полупроводниковых приборов на основе кремния с целью повышения их быстродействия и снижения потерь при переключении. Проводится сравнительный анализ статических и динамических параметров диодов и тиристоров, облученных в различных режимах.
Abstract (in another language): Methods of the precise processing with the electron irradiation of power semiconductor silicon devices are considered concerning the increase of their speed and the decrease of their switching losses. It is shown that usage of different methods of selective irradiation and irradiation in electrically active modes (under the reverse bias and in the conducting state) allows to obtain fast power diodes and thyristors with the best static and dynamic parameters. The comparative analysis of the static and dynamic parameters of diodes and thyristors irradiated in different modes are submitted.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206619
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
138-140.pdf3,23 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.