Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206619
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖданович, Н. Е.-
dc.contributor.authorМарченко, И. Г.-
dc.date.accessioned2018-10-04T08:49:25Z-
dc.date.available2018-10-04T08:49:25Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 138-140.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206619-
dc.description.abstractОбсуждаются способы прецизионной обработки электронным облучением силовых полупроводниковых приборов на основе кремния с целью повышения их быстродействия и снижения потерь при переключении. Проводится сравнительный анализ статических и динамических параметров диодов и тиристоров, облученных в различных режимах.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИсследование новых методов создания мощных быстродействующих полупроводниковых приборов c использованием электронного облученияru
dc.title.alternativeInvestigation of the new methods of the manufacture of the power fast semiconductor devices with the usage of electron irradiation / N.E.Jdanovitch, I.G.Marchenkoru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeMethods of the precise processing with the electron irradiation of power semiconductor silicon devices are considered concerning the increase of their speed and the decrease of their switching losses. It is shown that usage of different methods of selective irradiation and irradiation in electrically active modes (under the reverse bias and in the conducting state) allows to obtain fast power diodes and thyristors with the best static and dynamic parameters. The comparative analysis of the static and dynamic parameters of diodes and thyristors irradiated in different modes are submitted.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
138-140.pdf3,23 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.