Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206619
Заглавие документа: | Исследование новых методов создания мощных быстродействующих полупроводниковых приборов c использованием электронного облучения |
Другое заглавие: | Investigation of the new methods of the manufacture of the power fast semiconductor devices with the usage of electron irradiation / N.E.Jdanovitch, I.G.Marchenko |
Авторы: | Жданович, Н. Е. Марченко, И. Г. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 1999 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 138-140. |
Аннотация: | Обсуждаются способы прецизионной обработки электронным облучением силовых полупроводниковых приборов на основе кремния с целью повышения их быстродействия и снижения потерь при переключении. Проводится сравнительный анализ статических и динамических параметров диодов и тиристоров, облученных в различных режимах. |
Аннотация (на другом языке): | Methods of the precise processing with the electron irradiation of power semiconductor silicon devices are considered concerning the increase of their speed and the decrease of their switching losses. It is shown that usage of different methods of selective irradiation and irradiation in electrically active modes (under the reverse bias and in the conducting state) allows to obtain fast power diodes and thyristors with the best static and dynamic parameters. The comparative analysis of the static and dynamic parameters of diodes and thyristors irradiated in different modes are submitted. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206619 |
ISBN: | 985-445-237-9 |
Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
138-140.pdf | 3,23 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.