Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206608| Заглавие документа: | Изменение параметров кремниевых ЛПД мм-диапазона в результате воздействия у-радиации |
| Другое заглавие: | Parameter changes in silicon impatt diodes for mm wavelength range exposed to y-radiation / L.V.Shcherbina, T.V.Torchinskaya, E.S.Shcherbina, G.P.Polupan |
| Авторы: | Щербина, Л. В. Торчинская, Т. В. Щербина, Е. С. Полупан, Г. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 119-120. |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние гамма-радиации 60Co на электрофизические параметры кремниевых лавинно-пролетных диодов {ЛПД}. Показана возможность уменьшения величины обратного тока, количества микроплазм в области лавинного пробоя, увеличения диффузионной длины неосновных носителей заряда в базе ЛПД и увеличения выходной СВЧ мощности при воздействии сравнительно небольших доз гамма-радиации. Наблюдаемые эффекты связываются с уменьшением концентрации глубоких центров в базе ЛПД и "залечиванием" структурных дефектов в полупроводнике. |
| Аннотация (на другом языке): | We investigated the p*-n-n*- silicon mesa-diodes fabricated using batch technique whose breakdown voltage was 19+1 V. The exposition of IMPATT diodes to 60Co y-radiation was made in the 103 to 107 Gy dose range When the у-irradiation dose was increased up to (5-^8)-10s Gy1 then the thermal-generation component of the reverse current was monotonously decreasing. The breakdown voltage remained the same during y-irradiation. It was shown experimentally that exposition of diodes to (5-ь8)-105 Gy doses of y-irradiation led to some drop of both the number of microplasmas in the avalanche breakdown region and the microplasma noise level. 60Co y-irradiation in the 103-^8-105 Gy dose range led also to the growth of the microwave output power Pou, The decrease of the microplasma number in the avalanche breakdown region and Pou, growth may be explained if one assumes that y-irradiation in the 103-8-105 Gy dose range leads to "healing” of structural defects in the semiconductor due to their interaction with the radiation-induced point defects. The y-irradiation dose increase over 8-105 Gy results in a storage of some radiation-induced defects in the IMPATT diode base and electrical parameters of diodes are degrading. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206608 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 119-120.pdf | 2,22 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.