Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206608
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЩербина, Л. В.-
dc.contributor.authorТорчинская, Т. В.-
dc.contributor.authorЩербина, Е. С.-
dc.contributor.authorПолупан, Г. П.-
dc.date.accessioned2018-10-04T07:45:46Z-
dc.date.available2018-10-04T07:45:46Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 119-120.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206608-
dc.description.abstractРассмотрено влияние гамма-радиации 60Co на электрофизические параметры кремниевых лавинно-пролетных диодов {ЛПД}. Показана возможность уменьшения величины обратного тока, количества микроплазм в области лавинного пробоя, увеличения диффузионной длины неосновных носителей заряда в базе ЛПД и увеличения выходной СВЧ мощности при воздействии сравнительно небольших доз гамма-радиации. Наблюдаемые эффекты связываются с уменьшением концентрации глубоких центров в базе ЛПД и "залечиванием" структурных дефектов в полупроводнике.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИзменение параметров кремниевых ЛПД мм-диапазона в результате воздействия у-радиацииru
dc.title.alternativeParameter changes in silicon impatt diodes for mm wavelength range exposed to y-radiation / L.V.Shcherbina, T.V.Torchinskaya, E.S.Shcherbina, G.P.Polupanru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeWe investigated the p*-n-n*- silicon mesa-diodes fabricated using batch technique whose breakdown voltage was 19+1 V. The exposition of IMPATT diodes to 60Co y-radiation was made in the 103 to 107 Gy dose range When the у-irradiation dose was increased up to (5-^8)-10s Gy1 then the thermal-generation component of the reverse current was monotonously decreasing. The breakdown voltage remained the same during y-irradiation. It was shown experimentally that exposition of diodes to (5-ь8)-105 Gy doses of y-irradiation led to some drop of both the number of microplasmas in the avalanche breakdown region and the microplasma noise level. 60Co y-irradiation in the 103-^8-105 Gy dose range led also to the growth of the microwave output power Pou, The decrease of the microplasma number in the avalanche breakdown region and Pou, growth may be explained if one assumes that y-irradiation in the 103-8-105 Gy dose range leads to "healing” of structural defects in the semiconductor due to their interaction with the radiation-induced point defects. The y-irradiation dose increase over 8-105 Gy results in a storage of some radiation-induced defects in the IMPATT diode base and electrical parameters of diodes are degrading.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
119-120.pdf2,22 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.