Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 1-10 из 23.

назад
1
2
3
далее

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2019	Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120	Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В.
	2016	Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
	2003	Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесями	Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
	2012	ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА	Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2020	Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2019	Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2018	Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2018	Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2018	Трансформация спектров отражения диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы	Харченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.
	2014	Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации	Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.