Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108008
Заглавие документа: | Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации |
Авторы: | Бринкевич, Д. И. Лукашевич, М. Г. Оджаев, В. Б. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2014 |
Издатель: | Издательский центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
Аннотация: | Проводилось исследование методом атомно-силовой микроскопии модификацированной ионным облучением поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, представляющего собой композит из светочувствительного О-нафтохинондиазида и фенол-формальдегидной смолы. Пленка фоторезиста толщиной 1,8 мкм наносилась на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования при скорости вращения 1800 об/мин. Имплантация ионами Ni+, Fe+, Ag+, B+ и Sb+ c энергией 30 – 60 кэВ в интервале доз 1Е15–6Е17 cм-2 в режиме постоянного ионного тока. Имплантация приводит к появлению на поверхности фоторезиста конусообразных структур, которые наблюдались при всех имплантированных ионах уже на начальных дозах. Высота, диаметр в основании и плотность таких образований зависела от вида имплантированного иона и условий облучения. Конусообразные структуры распределены по поверхности фоторезиста неравномерно. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108008 |
ISBN: | 978-985-553-234-8 |
Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
p.106-109.pdf | 805,5 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.