Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108008
Title: Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации
Authors: Бринкевич, Д. И.
Лукашевич, М. Г.
Оджаев, В. Б.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: Проводилось исследование методом атомно-силовой микроскопии модификацированной ионным облучением поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, представляющего собой композит из светочувствительного О-нафтохинондиазида и фенол-формальдегидной смолы. Пленка фоторезиста толщиной 1,8 мкм наносилась на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования при скорости вращения 1800 об/мин. Имплантация ионами Ni+, Fe+, Ag+, B+ и Sb+ c энергией 30 – 60 кэВ в интервале доз 1Е15–6Е17 cм-2 в режиме постоянного ионного тока. Имплантация приводит к появлению на поверхности фоторезиста конусообразных структур, которые наблюдались при всех имплантированных ионах уже на начальных дозах. Высота, диаметр в основании и плотность таких образований зависела от вида имплантированного иона и условий облучения. Конусообразные структуры распределены по поверхности фоторезиста неравномерно.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108008
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.106-109.pdf805,5 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.