Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации

Abstract

Проводилось исследование методом атомно-силовой микроскопии модификацированной ионным облучением поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, представляющего собой композит из светочувствительного О-нафтохинондиазида и фенол-формальдегидной смолы. Пленка фоторезиста толщиной 1,8 мкм наносилась на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования при скорости вращения 1800 об/мин. Имплантация ионами Ni+, Fe+, Ag+, B+ и Sb+ c энергией 30 – 60 кэВ в интервале доз 1Е15–6Е17 cм-2 в режиме постоянного ионного тока. Имплантация приводит к появлению на поверхности фоторезиста конусообразных структур, которые наблюдались при всех имплантированных ионах уже на начальных дозах. Высота, диаметр в основании и плотность таких образований зависела от вида имплантированного иона и условий облучения. Конусообразные структуры распределены по поверхности фоторезиста неравномерно.