Logo BSU

Browsing by Author Явид, В. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 19 of 19
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2021Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2010Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнииДжадан, М.; Оскар Хосе Араика Ривера; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2018Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2003Накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азотаЧелядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Венгерэк, П.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2004Остаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфораКомаров, Ф. Ф.; Джадан, М.; Гайдук, П. И.; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Жуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерек, П.
2001Перспективные полупроводниковые материалы: физика и технологияДоросинец, В. А.; Захаров, А. Г.; Ланчук, H. М.; Лукашевич, М. Г.; Поклонский, Н. А.; Челядинский, А. P.; Явид, В. Ю.; Янченко, А. М.
2010Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. ЧелядинскийЧелядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Васильева, Л. А.; Садовский, П. К.; Васильев, Ю. Б.
2020Разработка компонентов бортовой интеллектуальной системы контроля эксплуатационных свойств и степени загрязнения моторных и трансмиссионных масел : отчет об опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Азарко, И. И.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Карпович, И. А.; Явид, В. Ю.
2020Разработка физико-технологических методов создания элементов биполярных и комплементарных структур металл-окисел-полупроводник, моделирование и управление их статическими и динамическими характеристиками : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Янковский, Ю. Н.; Явид, В. Ю.; Шестовский, Д. В.
2020«Разработка физико-технологических методов формирования функциональных наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе полупроводниковых, стеклообразных и полимерных структур с использованием электромагнитных и ионно-лучевых воздействий» в рамках задания «Разработка физико-технологических методов формирования функциональных наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе полупроводниковых, силикатных и полимерных структур с использованием электромагнитных и ионно-лучевых воздействий» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Азарко, И. И.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Явид, В. Ю.
2008Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легированияПлебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.
2021Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Мавланов, Г. Х.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.