Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523
Title: Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Other Titles: Specific features of generation-recombination processes in the depletion region of p–i–n-photodiodes
Authors: Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Ковальчук, Н. С.
Филипеня, В. А.
Черный, В. В.
Шестовский, Д. В.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2021
Publisher: Минск, БНТУ
Citation: Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 318–319.
Abstract: Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 В). На вольт-амперных характеристиках при обратном смещении можно выделить три области изменения тока в зависимости от приложенного напряжения: сублинейную, линейную и суперлинейную, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода.
Abstract (in another language): The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of p-i-n-silicon-based photodiodes with a vertical structure and a guard ring have been investigated. It was found that a appreciable dependence of the barrier capacitance value (at a frequency of 1 kHz) and the size of the depletion region on temperature is observed only at applied reverse voltages not exceeding the contact potential difference (Vb ≤ 1 V). On the current-voltage characteristics at reverse bias, three regions of current variation can be distinguished depending on the applied voltage: sublinear, linear, and superlinear, due to different mechanisms of generation-recombination processes in the p-n-junction depletion region.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523
ISBN: 978-985-583-720-7
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Приборостроение_2021_с.318-319.pdf408,93 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.