Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-12-23T17:32:48Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-23T17:32:48Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 318–319. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-583-720-7 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 В). На вольт-амперных характеристиках при обратном смещении можно выделить три области изменения тока в зависимости от приложенного напряжения: сублинейную, линейную и суперлинейную, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск, БНТУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов | ru |
| dc.title.alternative | Specific features of generation-recombination processes in the depletion region of p–i–n-photodiodes | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of p-i-n-silicon-based photodiodes with a vertical structure and a guard ring have been investigated. It was found that a appreciable dependence of the barrier capacitance value (at a frequency of 1 kHz) and the size of the depletion region on temperature is observed only at applied reverse voltages not exceeding the contact potential difference (Vb ≤ 1 V). On the current-voltage characteristics at reverse bias, three regions of current variation can be distinguished depending on the applied voltage: sublinear, linear, and superlinear, due to different mechanisms of generation-recombination processes in the p-n-junction depletion region. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Приборостроение_2021_с.318-319.pdf | 408,93 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.