Logo BSU

Browsing by Author Комаров, А. Ф.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 26  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2019Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроникиМискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.
2012Коимплантация атомов амфотерных примесей для управления процессами диффузии бора при быстрых термообработкахМакаревич, Ю. В.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А.
2017Моделирование влияния проникающих излучений на биполярные и МДП-транзисторыМискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А.
2017Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторыМискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А.
2013Моделирование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры мдп-приборовЗаяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А.
2013Моделирование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на характеристики мдп-приборовЗаяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А.
2015МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПОТОКА НЕЙТРОНОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВМискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Михайлов, В. В.; Заяц, Г. М.
2017Моделирование воздействия рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП-транзисторовКомаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.; Мискевич, С. А.
2013Моделирование высококонцентрационной диффузии фосфора в кристаллическом кремнииВеличко, О. И.; Аксенов, В. В.; Ануфриев, Л. П.; Голубев, Н. Ф.; Комаров, А. Ф.
2011МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФФУЗИИ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУРАХ В ПРОЦЕССЕ БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОККомаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.
2007Моделирование диффузии мышьяка в системе SiO2/Si при низкоэнергетической имплантации и коротком термическом отжигеВеличко, О. И.; Заяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Миронов, A. M.; Цурко, В. А.
2019Моделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излученияЮвченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А.
2015МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИКомаров, А. Ф.; Михайлов, В. В.; Мискевич, С. А.
2020Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурахМискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.
2001Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектроникеКомаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М.
2011Моделирование технологических процессов субмикронной электроникиКомаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.; Заяц, Г. М.; Солодуха, В. А.; Макаревич, Ю. В.; Мискевич, С. А.
Sep-2011Моделирование технологических процессов субмикронной электроники для систем проектирования интегральных схемКомаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.; Заяц, Г. М.; Макаревич, Ю. В.; Мискевич, С. А.
2007Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si и SiO2Купчишин, А. И.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Комаров, А. Ф.; Wesch, W.
2003Прогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut)Миронов, А. М.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Партыка, Я.; Ковальски, М.
2003Процессы ионно-ассистируемого осаждения слоев металлов в однопучковой системеКомаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Жуковски, П.; Комаров, А. А.