Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/178731| Заглавие документа: | Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторы |
| Авторы: | Мискевич, С. А. Комаров, Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Ювченко, В. Н. Заяц, Г. М. Божаткин, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 270-272. |
| Аннотация: | В работе рассматривается физико-математическая модель воздействия гамма-излучения на параметры интегрального кремниевого p-n-p биполярного транзистора, работающего в режиме усиления в схеме с общим эмиттером. Приводятся результаты моделирования и экспериментальных исследований |
| Доп. сведения: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/178731 |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 270-272.pdf | 585,45 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.