Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/178731
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМискевич, С. А.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.
dc.contributor.authorЗаяц, Г. М.
dc.contributor.authorБожаткин, В. А.
dc.date.accessioned2017-08-16T11:22:11Z-
dc.date.available2017-08-16T11:22:11Z-
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationПрикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 270-272.
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/178731-
dc.descriptionСекция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
dc.description.abstractВ работе рассматривается физико-математическая модель воздействия гамма-излучения на параметры интегрального кремниевого p-n-p биполярного транзистора, работающего в режиме усиления в схеме с общим эмиттером. Приводятся результаты моделирования и экспериментальных исследований
dc.language.isoru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторы
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
270-272.pdf585,45 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.