Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178731
Заглавие документа: Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторы
Авторы: Мискевич, С. А.
Комаров, Ф. Ф.
Комаров, А. Ф.
Ювченко, В. Н.
Заяц, Г. М.
Божаткин, В. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 270-272.
Аннотация: В работе рассматривается физико-математическая модель воздействия гамма-излучения на параметры интегрального кремниевого p-n-p биполярного транзистора, работающего в режиме усиления в схеме с общим эмиттером. Приводятся результаты моделирования и экспериментальных исследований
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178731
Располагается в коллекциях:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
270-272.pdf585,45 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.