Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233905| Заглавие документа: | Моделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излучения |
| Другое заглавие: | Simulation of X-Ray and Gamma Irradiation Impact on Working Characteristics of p-MOS Transistors / V.N. Yuvchenko, A.F. Komarov, G.M. Zayats, S.A. Miskiewicz |
| Авторы: | Ювченко, В. Н. Комаров, А. Ф. Заяц, Г. М. Мискевич, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 182-185. |
| Аннотация: | Проведено численное моделирование радиационно-индуцированного изменения порогового напряжения p-МОП-транзисторов с различной толщиной подзатворного диэлектрика c использованием модели пространственно-временной эволюции заряда, возникающего в подзатворном оксиде МОП-транзистора при воздействии рентгеновского и гамма-излучения. Представлены результаты моделирования сток-затворных и выходных ВАХ p-МОП-транзисторов с толщиной подзатворного диэлектрика 7 нм, облучаемых различными дозами гамма-квантов с энергией 1,2 МэВ. |
| Аннотация (на другом языке): | The model of space-time evolution of the charge appearing in the gate dielectric of the MOS transistor under X-ray and gamma irradiation is used to simulate transistor threshold voltage change under irradiation. The model incudes two types of carrier traps – “deep” and “shallow”. Threshold voltage shifts for p-MOS transistors irradiated with 20 keV X-ray irradiation have been calculated. Transfer and output I-V characteristics of p-MOS transistors irradiated with 1.2 MeV gamma radiation were simulated for transistors with gate dielectric thickness of 7 nm. Main parameters of I-V characteristics and their changes under gamma irradiation with doses up to 6x10 6 rad have been calculated. |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233905 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 182-185.pdf | 512,94 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.