Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/233905
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.
dc.contributor.authorЗаяц, Г. М.
dc.contributor.authorМискевич, С. А.
dc.date.accessioned2019-11-13T10:39:39Z-
dc.date.available2019-11-13T10:39:39Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 182-185.
dc.identifier.issn2663-9939
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/233905-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractПроведено численное моделирование радиационно-индуцированного изменения порогового напряжения p-МОП-транзисторов с различной толщиной подзатворного диэлектрика c использованием модели пространственно-временной эволюции заряда, возникающего в подзатворном оксиде МОП-транзистора при воздействии рентгеновского и гамма-излучения. Представлены результаты моделирования сток-затворных и выходных ВАХ p-МОП-транзисторов с толщиной подзатворного диэлектрика 7 нм, облучаемых различными дозами гамма-квантов с энергией 1,2 МэВ.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излучения
dc.title.alternativeSimulation of X-Ray and Gamma Irradiation Impact on Working Characteristics of p-MOS Transistors / V.N. Yuvchenko, A.F. Komarov, G.M. Zayats, S.A. Miskiewicz
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe model of space-time evolution of the charge appearing in the gate dielectric of the MOS transistor under X-ray and gamma irradiation is used to simulate transistor threshold voltage change under irradiation. The model incudes two types of carrier traps – “deep” and “shallow”. Threshold voltage shifts for p-MOS transistors irradiated with 20 keV X-ray irradiation have been calculated. Transfer and output I-V characteristics of p-MOS transistors irradiated with 1.2 MeV gamma radiation were simulated for transistors with gate dielectric thickness of 7 nm. Main parameters of I-V characteristics and their changes under gamma irradiation with doses up to 6x10 6 rad have been calculated.
Располагается в коллекциях:2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
182-185.pdf512,94 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.