Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120027| Заглавие документа: | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИ |
| Авторы: | Комаров, А. Ф. Михайлов, В. В. Мискевич, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Аннотация: | Разработана физико-математическая модель и программное обеспечение для моделирования процесса высокодозной имплантации мышьяка и индия в кремний, учитывающая радиационно-стимулированную диффузию примеси, распыление и распухание мишени, а также образование новой фазы. Экспериментально установлено формирование нанокластеров кристаллического InAs со средним диаметром 7 нм и плотностью их распределения 2,87x1011 см-2 в процессе имплантации As (170 кэВ, 3,2x1016 см-2) и In (250 кэВ, 2,8x1016 см-2) при Т = 500 С в Si. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120027 |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Комаров.pdf | 734,65 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.