Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120027| Title: | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИ |
| Authors: | Комаров, А. Ф. Михайлов, В. В. Мискевич, С. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2015 |
| Abstract: | Разработана физико-математическая модель и программное обеспечение для моделирования процесса высокодозной имплантации мышьяка и индия в кремний, учитывающая радиационно-стимулированную диффузию примеси, распыление и распухание мишени, а также образование новой фазы. Экспериментально установлено формирование нанокластеров кристаллического InAs со средним диаметром 7 нм и плотностью их распределения 2,87x1011 см-2 в процессе имплантации As (170 кэВ, 3,2x1016 см-2) и In (250 кэВ, 2,8x1016 см-2) при Т = 500 С в Si. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120027 |
| Appears in Collections: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Комаров.pdf | 734,65 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.