Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120027
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.-
dc.contributor.authorМихайлов, В. В.-
dc.contributor.authorМискевич, С. А.-
dc.date.accessioned2015-10-06T09:06:31Z-
dc.date.available2015-10-06T09:06:31Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/120027-
dc.description.abstractРазработана физико-математическая модель и программное обеспечение для моделирования процесса высокодозной имплантации мышьяка и индия в кремний, учитывающая радиационно-стимулированную диффузию примеси, распыление и распухание мишени, а также образование новой фазы. Экспериментально установлено формирование нанокластеров кристаллического InAs со средним диаметром 7 нм и плотностью их распределения 2,87x1011 см-2 в процессе имплантации As (170 кэВ, 3,2x1016 см-2) и In (250 кэВ, 2,8x1016 см-2) при Т = 500 С в Si.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Комаров.pdf734,65 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.