Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Шпаковский, С. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 16 из 16
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
2013Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
2019Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопииГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2002Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импедансаШпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2014Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. ГорбачукГорбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.
2014Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2014Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К.
2010Создание аналогов катушек индуктивности на основе кремниевых приборных структур с дефектами кристаллической решетки : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Горбачук, Н. И.Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ермакова, А. В.; Долгая, Т. Н.
2014Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
Результаты 1 - 16 из 16