Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ

Abstract

Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами ксенона с энергией 166 МэВ. Флюенс облучения варьировался в интервале от 5·107 до 1012 см–2. Регистрировались частотные зависимости импеданса структур и вольт-фарадные характеристики. Установлено, что в изменение емкости облученных структур вносят вклад как радиационные дефекты в SiO2, так и дефекты, локализованные в приграничном слое n-Si = The structures Al/SiO2/n-Si irradiated by xenon ions with energy 166 MeV are studied. The irradiation fluence was varied in the range from 5·107 to 1012 cm–2. The frequency dependences of the impedance of the structures and the capacitance–voltage characteristics are measured. It is established that the both the irradiation-induced defects in SiO2 and the defects localized in the boundary layer n-Si contribute to the change in the capacitance of the irradiated structures