Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/182361
Title: Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ
Other Titles: Electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated by xenon ions with energy 166 MeV / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, N.S. Kirilkin, M.K. Kirikovich, A. Wieck
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Кирилкин, Н. С.
Кирикович, М. К.
Wieck, A.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2017
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 172-174.
Abstract: Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами ксенона с энергией 166 МэВ. Флюенс облучения варьировался в интервале от 5·107 до 1012 см–2. Регистрировались частотные зависимости импеданса структур и вольт-фарадные характеристики. Установлено, что в изменение емкости облученных структур вносят вклад как радиационные дефекты в SiO2, так и дефекты, локализованные в приграничном слое n-Si = The structures Al/SiO2/n-Si irradiated by xenon ions with energy 166 MeV are studied. The irradiation fluence was varied in the range from 5·107 to 1012 cm–2. The frequency dependences of the impedance of the structures and the capacitance–voltage characteristics are measured. It is established that the both the irradiation-induced defects in SiO2 and the defects localized in the boundary layer n-Si contribute to the change in the capacitance of the irradiated structures
Description: Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182361
ISBN: 978-985-553-446-5
Appears in Collections:2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
172-174.pdf548 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.