Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111562
Title: Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Бритько, П. С.
Цибулько, П. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: Исследовался импеданс МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si в зависимости от частоты электрического поля. Предложены эквивалентные схемы замещения для случаев обогащения n-Si вблизи границы Si3N4/n-Si электронами и сильной инверсии (изменение типа электропроводности) n-Si вблизи этой границы под действием постоянного электрического напряжения между Al и n-Si. Показано, что для ЭС структуры Al/Si3N4/n-Si в режиме обогащения следует учитывать сопротивление n-Si, а в режиме сильной инверсии — дополнительную частотную дисперсию импеданса в области пространственного заряда.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/111562
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.219-222.pdf279,13 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.