Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/111562| Заглавие документа: | Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Бритько, П. С. Цибулько, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | Исследовался импеданс МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si в зависимости от частоты электрического поля. Предложены эквивалентные схемы замещения для случаев обогащения n-Si вблизи границы Si3N4/n-Si электронами и сильной инверсии (изменение типа электропроводности) n-Si вблизи этой границы под действием постоянного электрического напряжения между Al и n-Si. Показано, что для ЭС структуры Al/Si3N4/n-Si в режиме обогащения следует учитывать сопротивление n-Si, а в режиме сильной инверсии — дополнительную частотную дисперсию импеданса в области пространственного заряда. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/111562 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.219-222.pdf | 279,13 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.