Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения

Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111562

Title:	Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения
Authors:	Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Бритько, П. С. Цибулько, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2014
Publisher:	Издательский центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract:	Исследовался импеданс МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si в зависимости от частоты электрического поля. Предложены эквивалентные схемы замещения для случаев обогащения n-Si вблизи границы Si3N4/n-Si электронами и сильной инверсии (изменение типа электропроводности) n-Si вблизи этой границы под действием постоянного электрического напряжения между Al и n-Si. Показано, что для ЭС структуры Al/Si3N4/n-Si в режиме обогащения следует учитывать сопротивление n-Si, а в режиме сильной инверсии — дополнительную частотную дисперсию импеданса в области пространственного заряда.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/111562
ISBN:	978-985-553-234-8
Sponsorship:	Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:	2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
p.219-222.pdf		279,13 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar