Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111562
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.-
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.-
dc.contributor.authorБритько, П. С.-
dc.contributor.authorЦибулько, П. И.-
dc.date.accessioned2015-03-18T17:30:47Z-
dc.date.available2015-03-18T17:30:47Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/111562-
dc.description.abstractИсследовался импеданс МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si в зависимости от частоты электрического поля. Предложены эквивалентные схемы замещения для случаев обогащения n-Si вблизи границы Si3N4/n-Si электронами и сильной инверсии (изменение типа электропроводности) n-Si вблизи этой границы под действием постоянного электрического напряжения между Al и n-Si. Показано, что для ЭС структуры Al/Si3N4/n-Si в режиме обогащения следует учитывать сопротивление n-Si, а в режиме сильной инверсии — дополнительную частотную дисперсию импеданса в области пространственного заряда.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleЭквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.219-222.pdf279,13 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.