Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:

Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1-10 из 10.
  • назад
  • 1
  • далее
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмыБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2020Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантамиВабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2021Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2021Ионная имплантация диазохинонноволачных резистовБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2022Исследование структуры полиимидных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Колос, В. Ф.; Зубова, О. А.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Расчет профилей распределения примесных атомов галлия и сурьмы при их совместной диффузии в кремнииИлиев, Х. М.; Просолович, В. С.; Исамов, С. Б.; Исаков, Б. О.; Янковский, Ю. Н.
2023Прочностные и адгезионные свойства пленок позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебраВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.
2023Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60СoЛастовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.