Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304325| Заглавие документа: | Прочностные и адгезионные свойства пленок позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра |
| Другое заглавие: | Strength and adhesion properties of positive photoresist FP9120 films implanted with silver ions / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich, Yu.N. Yankouski |
| Авторы: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 209-211. |
| Аннотация: | Методами индентирования и ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, имплантированного ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2.5·10 16 –1·10 17 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что при имплантации наблюдается возрастание истинной микротвердости пленок фоторезиста, обусловленное формированием сплошного алмазоподобного углеродного слоя в области пробега ионов. Обнаружено возрастание ~ в 3 раза величины удельной энергии отслаивания G пленок фоторезиста после имплантации. При длительном хранении имплантированных структур ФР/Si имела место релаксация упругих напряжений вокруг отпечатка индентора |
| Аннотация (на другом языке): | Films of 1.8 μm thick diazoquinone-novolac photoresist FP9120 implanted with silver ions were studied by indentation method and ATR FT-IR spectroscopy. Implantation with Ag + ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2.5·10 16 –1·10 17 cm-2 in the constant ion current mode (current density j = 4 μA/cm-2) was carried out at room temperature in a residual vacuum no worse than 10 -5 Pa on the ILU-3 implanter. It has been established that during implantation, an increase in the true microhardness of the photoresist (FR) films is observed, due to the formation of a continuous diamond-like carbon layer in the range of ions. An increase of ~3 times in the specific peel energy G of photoresist films after implantation was found. During long-term storage of the implanted FR/Si structures, the relaxation of elastic stresses around the indenter |
| Доп. сведения: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304325 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 209-211.pdf | 361,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.