Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304325Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:54Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:54Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 209-211. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304325 | - |
| dc.description | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials | |
| dc.description.abstract | Методами индентирования и ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, имплантированного ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2.5·10 16 –1·10 17 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что при имплантации наблюдается возрастание истинной микротвердости пленок фоторезиста, обусловленное формированием сплошного алмазоподобного углеродного слоя в области пробега ионов. Обнаружено возрастание ~ в 3 раза величины удельной энергии отслаивания G пленок фоторезиста после имплантации. При длительном хранении имплантированных структур ФР/Si имела место релаксация упругих напряжений вокруг отпечатка индентора | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Прочностные и адгезионные свойства пленок позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра | |
| dc.title.alternative | Strength and adhesion properties of positive photoresist FP9120 films implanted with silver ions / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich, Yu.N. Yankouski | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Films of 1.8 μm thick diazoquinone-novolac photoresist FP9120 implanted with silver ions were studied by indentation method and ATR FT-IR spectroscopy. Implantation with Ag + ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2.5·10 16 –1·10 17 cm-2 in the constant ion current mode (current density j = 4 μA/cm-2) was carried out at room temperature in a residual vacuum no worse than 10 -5 Pa on the ILU-3 implanter. It has been established that during implantation, an increase in the true microhardness of the photoresist (FR) films is observed, due to the formation of a continuous diamond-like carbon layer in the range of ions. An increase of ~3 times in the specific peel energy G of photoresist films after implantation was found. During long-term storage of the implanted FR/Si structures, the relaxation of elastic stresses around the indenter | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 209-211.pdf | 361,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.