Logo BSU

Search


Current filters:



Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 11-19 of 19 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2021Устройство для демонстрации электростатических полей в лекционном экспериментеГорбачук, Н. И.; Буров, Л. И.; Поклонский, Н. А.; Неверов, Д. С.; Шпаковский, С. В.
2023Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2022Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2025Поверхностные состояния в облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ структурах Al/SiO2/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.