Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304308| Заглавие документа: | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия |
| Другое заглавие: | Deep-level transient spectroscopy of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions / N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, K.A. Yermakova, S.V. Shpakovski |
| Авторы: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Ермакова, Е. А. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 158-160. |
| Аннотация: | Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами гелия. Кинетическая энергия иона 5 МэВ. Флюенс облучения варьировался от 10 10 до 10 12 см-2. Измерялись вольт-фарадные характеристики, регистрировались спектры DLTS. Показана возможность регистрации методом спектроскопии DLTS поверхностных состояний на границе раздела SiO2/n-Si. Установлено, что варьирование электрического напряжения заполнения ловушек позволяет выделить спектры DLTS радиационных дефектов. Облучение ионами гелия приводит как к генерации дивакансий и комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор, так и к увеличению концентрации дефектов на границе раздела кремний/диоксид кремния. Помимо дивакансий, комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор на спектрах DLTS структур, облученных ионами гелия флюенсами 10 11 и 10 12 см-2 присутствует центр с энергией ионизации Ec – 0.30±0.04 эВ |
| Аннотация (на другом языке): | Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions were studied. The Al/SiO2/n-Si structures were fabricated on (100) wafers of single-crystal n-type silicon grown by the Czochralski method. The resistivity of the wafers was 4.5 Ohm·cm. A layer of silicon dioxide (SiO2) with a thickness of 420 nm was formed by thermal oxidation. On the planar side, the area of aluminum plating with a thickness of 0.7 μm was 1.85×1.85 mm2. From the Al/SiO2 side, the structures were irradiated with helium ions. The kinetic energy of the ion was 5 MeV. The average projective range calculated using SRIM program was ≈24 µm. The irradiation fluence varied from 10 10 to 10 12 cm-2. Capacitance-voltage characteristics were measured, and DLTS spectra were recorded. The DLTS spectra were recorded using CE-7C capacitance spectrometer in the temperature range of 80–300 K. The voltage value of the filling pulse Up was varied in the range from −0.5 to −10 V. The voltage value of the emission pulse U e was varied in the range from −5 to −15 V. The duration of the filling pulse was t p = 0.75 ms, emission pulse — te = 20 ms. The possibility of registering surface states at the SiO2/n-Si interface by DLTS spectroscopy is shown. It is found that varying the filling voltage makes it possible to isolate the DLTS spectra of irradiation-induced defects. Irradiation with helium ions leads both to the generation of divacancies and vacancy-oxygen and vacancy-phosphorus complexes and to the increase in the concentration of defects at the silicon/dioxide interface. In addition to divacancies and vacancy-oxygen and vacancy-phosphorus complexes, the DLTS spectra of structures irradiated with helium ions with fluences of 10 11 and 10 12 cm-2 contain a center with an ionization energy of Ec − 0.30±0.04 eV |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304308 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 158-160.pdf | 340,93 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.