Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292779| Заглавие документа: | Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/Si |
| Другое заглавие: | Temperature stability of the charge, accumulated in Al/Si3N4/SiO2/Si structures / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonsky, K. A. Yermakova, S. V. Shpakovski |
| Авторы: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Ермакова, Е. А. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 53-57. |
| Аннотация: | Изучались МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si и МДОП-структуры Al/Si3N4/SiO2/n-Si. Установлено, что структуры Al/Si 3 N 4 /n-Si могут накапливать как положительный, так и отрицательный заряд, структуры Al/Si3N4/SiO2/n-Si — только отрицательный. Наличие слоя оксида кремния приводит за счет дополнительного энергетического барьера к повышению температурной стабильности накопленного в Si3N4 заряда. В интервале температур 300–550 K величина захваченного на ловушки заряда уменьшается не более чем на 20% |
| Аннотация (на другом языке): | The MIS-structures Al/Si3N4/n-Si and MIOS-structures Al/Si3N4/SiO2/n-Si were studied. It was found that Al/Si3N4/n-Si structures can accumulate both positive and negative charge, while Al/Si3N4/SiO2/n-Si structures — only negative charge. The presence of silicon oxide layer leads, due to an additional energy barrier, to an increase in temperature stability of the charge accumulated in Si3N4. In the temperature range of 300–550 K the value of trapped charge decreases by no more than 20 % |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292779 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.