Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292779Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Ермакова, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:48Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:48Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 53-57. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292779 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Изучались МДП-структуры Al/Si3N4/n-Si и МДОП-структуры Al/Si3N4/SiO2/n-Si. Установлено, что структуры Al/Si 3 N 4 /n-Si могут накапливать как положительный, так и отрицательный заряд, структуры Al/Si3N4/SiO2/n-Si — только отрицательный. Наличие слоя оксида кремния приводит за счет дополнительного энергетического барьера к повышению температурной стабильности накопленного в Si3N4 заряда. В интервале температур 300–550 K величина захваченного на ловушки заряда уменьшается не более чем на 20% | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/Si | |
| dc.title.alternative | Temperature stability of the charge, accumulated in Al/Si3N4/SiO2/Si structures / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonsky, K. A. Yermakova, S. V. Shpakovski | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The MIS-structures Al/Si3N4/n-Si and MIOS-structures Al/Si3N4/SiO2/n-Si were studied. It was found that Al/Si3N4/n-Si structures can accumulate both positive and negative charge, while Al/Si3N4/SiO2/n-Si structures — only negative charge. The presence of silicon oxide layer leads, due to an additional energy barrier, to an increase in temperature stability of the charge accumulated in Si3N4. In the temperature range of 300–550 K the value of trapped charge decreases by no more than 20 % | |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.