Logo BSU

Поиск


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 681-690 из 1649.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2001Образование донорных центров в кремнии под действием импульсного лазерного излученияБлумс, Ю.; Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.
2001Определение параметров и эволюция микроструктуры в аморфно-кристаллических тонких пленках CrSi2, полученных ионно-плазменным распылениемДраненко, А. С.; Дворина, Л. А.
2001A new technology of fabricating ohmic metal-silicon contactsSenko, S. F.; Snitovsky, Yu. P.
2001Процессы взаимодействия металлов в условиях электроискровой и ионноплазменной обработкиМазанко, В. Ф.; Герцрикен, Д. С.; Рясный, А. В.; Миронов, В. М.; Миронов, Д. В.
2001Modification of monosilicon solar cells parameters by hydrogen plasma treatmentFedotov, A.; Drozdov, N.; Mazanik, A.; Ulyashin, A.; Fahrner, W. R.; Stognii, A.; Anis M.H. Saad
2001Изменение шумовых характеристик кремниевых P-N-структур при термическом отжиге радиационных дефектовБарановский, О. К.; Петрунин, А. П.; Савенок, Е. Д.
1999Пороговая энергия образования первичных дефектов в кремнииКучинский, П. В.
1999Вольт - амперная характеристика сверхрешетки в условиях воздействия нелинейной электромагнитной волныКрючков, С. В.; Завьялов, Д. В.
1999Определение сечений возбуждения характеристического рентгеновского излучения K –серии Hf, Ta, W и Re протонами с энергией 1÷3 мэвЛевенец, В. В.; Щур, А. А.; Омельник, А. П.; Запорожченко, В. А.
1999Моделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксацииОболенский, С. В.