Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203920
Title: Образование донорных центров в кремнии под действием импульсного лазерного излучения
Other Titles: Generation of donor centres in si by pulsed laser RADIATION / J.BIums, E.I.Gatskevich, G.D.Ivlev
Authors: Блумс, Ю.
Гацкевич, Е. И.
Ивлев, Г. Д.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 108-110
Abstract: Изучалось воздействие наносекундных импульсов первой и второй гармо излучения Nd:YAG лазера на образцы монокристаллического кремния, легированного примесями разного типа. При превышении порога лазерно-индуцированного поверхностного плавления кремния, легированного бором, наблюдается образование донорных центров и инверсия типа проводимости переплавленного слоя - из р-типа в п-тип. Отсутствие этого эффекта при облучении Si:B на Хі объясняется меньшей скоростью эпитаксиальной кристаллизации, что следуя из результатов численного моделирования лазерно-индуцированных фазовых переходов.
Abstract (in another language): Monocrystalline silicon wafers with different dopants were irradiated by nanosecond pulses of the first (X=1.06 m) and second (>^=0.53 m) harmonics of Nd:YAG laser radiation. The surface resistance and conduction type of the samples were determined. The laser-induced liquid-solid phase transitions in Si were studied by means of computer simulation on the basis of numerical solution of one-dimensional heat conductivity equation (Stephan problem). The study carried out shows the possibility of laser induced donor centres formation and inversion of conduction type of boron doped silicon.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/203920
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
108-110.pdf726,8 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.