Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203920
Title: | Образование донорных центров в кремнии под действием импульсного лазерного излучения |
Other Titles: | Generation of donor centres in si by pulsed laser RADIATION / J.BIums, E.I.Gatskevich, G.D.Ivlev |
Authors: | Блумс, Ю. Гацкевич, Е. И. Ивлев, Г. Д. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2001 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 108-110 |
Abstract: | Изучалось воздействие наносекундных импульсов первой и второй гармо излучения Nd:YAG лазера на образцы монокристаллического кремния, легированного примесями разного типа. При превышении порога лазерно-индуцированного поверхностного плавления кремния, легированного бором, наблюдается образование донорных центров и инверсия типа проводимости переплавленного слоя - из р-типа в п-тип. Отсутствие этого эффекта при облучении Si:B на Хі объясняется меньшей скоростью эпитаксиальной кристаллизации, что следуя из результатов численного моделирования лазерно-индуцированных фазовых переходов. |
Abstract (in another language): | Monocrystalline silicon wafers with different dopants were irradiated by nanosecond pulses of the first (X=1.06 m) and second (>^=0.53 m) harmonics of Nd:YAG laser radiation. The surface resistance and conduction type of the samples were determined. The laser-induced liquid-solid phase transitions in Si were studied by means of computer simulation on the basis of numerical solution of one-dimensional heat conductivity equation (Stephan problem). The study carried out shows the possibility of laser induced donor centres formation and inversion of conduction type of boron doped silicon. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203920 |
ISBN: | 985-445-236-0 |
Appears in Collections: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
108-110.pdf | 726,8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.