Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203927
Title: Пороговая энергия образования первичных дефектов в кремнии
Other Titles: Threshold energy of formation of primery defects in silicon / P. V. Kuchinski
Authors: Кучинский, П. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 27-29.
Abstract: В соответствии с современными теоретическими представлениями экспериментально определяемая величина пороговой энергии образования первичных смещений Ed определяется произведением вероятности смещения выбитого атома на сечение образования смещений, и не является “чистой” энергией необходимой для разрыва связей'ё решетке. В этом случае экспериментально определяемая величина Ed зависит от примесного состава и уровня легирования кремния. Уменьшение эффективности аннигиляции первичных радиационных дефектов с ростом уровня легирования кремния приводить к уменьшению величины Ed. Отсутствие аннигиляции в сильно легированном кремнии дает возможность оценить величину пороговой энергии, необходимую только для разрыва связей атомов. Оценки, проведенные в этом случае экспериментально определяемая величина Ed зависит от примесного состава и уровня легирования кремния. Уменьшение эффективности аннигиляции первичных радиационных дефектов с ростом уровня легирования кремния приводить к уменьшению величины Ed. Отсутствие аннигиляции в сильно легированном кремнии дает возможность оценить величину пороговой энергии, необходимую только для разрыва связей атомов. Оценки, проведенные в работе, дают величину Ed=11 -И 3 эВ.
Abstract (in another language): In according with modern theoretical conceptions experimentally detected threshold energy of formation of primary displacement Ed is multiple of the displacement probability of knocked-on atom and cross section of displacement formation and it is In according with modern theoretical conceptions experimentally detected threshold energy of formation of primary displacement Ed is multiple of the displacement probability of knocked-on atom and cross section of displacement formation and it is not "clear” energy which necessary for break of bindings in a lattice. In this case experimentally detected Ed depends from impurity composition and doping level of silicon. Decrease of effectiveness of annihilation of prime radiation defects at increase of doping level of silicon leads to decrease of Ecj. An absence of annihilation in high doped silicon gives possibility to estimate quantity of threshold energy which necessary for break of bindings of atoms only. This quantity is Ed = 11 - 13 eV.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/203927
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
27-29.pdf193,79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.