Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр "Взаимодействие излучений с твердым телом" По дате выпуска

Выберите:
Или введите год:

Результаты 1 - 20 из 1637 следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
1999	Влияние постоянного магнитного поля на зернограничную диффузию 63Ni в поликристаллическом кобальте	Миронов, Д. В.; Покоев, А. В.
1999	Профиль приповерхностной примеси в МОП-структурах, полученных фотонным воздействием	Подвальный, Л. С.; Плаксин, С. Е.
1999	Investigation of metal evaporation and film deposition at middle vacuum by using a glow discharge electron gun	Porytsky, P. V.; Kononov, A. V.; Denbnovetsky, S. V.; Melnyk, V. I.; Melnyk, I. V.
1999	Влияние доз имплантации фосфора на время жизни т в p-Si	Подвальный, Л. С.; Плаксин, С. Е.
1999	Формирование приповерхностных структур на кремнии в условиях быстрой термообработки и примеси в зоне реакции	Людчик, О. Р.; Волк, С. А.
1999	Старение бериллиевой бронзы БрБ-2 в постоянном магнитном поле	Осинская, Ю. В.; Покоев, А. В.
1999	Свойства углеродных волокон после ионно-лучевой обработки	Гаврилов, Н. В.; Емлин, Д. Е.; Лигачев, А. Е.; Лигачева, Е. А.; Галеева, Л. В.
1999	Влияние протонного облучения на параметры структур «кремний на сапфире»	Киселев, В. К.; Оболенский, С. В.; Скупов, В. Д.
1999	Ионная имплантация электротехнических материалов	Карват, Ч.; Жуковски, П.; Лиськевич, Е.
1999	Модификация рекомбинационных свойств р-кремния путем введения низкотемпературных термодоноров	Колковский, И. И.; Лукьяница, В. В.
1999	Ионно-ассистированное осаждение покрытий на основе Zr и W на эластомер	Касперович, А. В.; Ташлыков, И. С.
1999	Эволюция дефектов в кристаллическом InP при облучении ионами Xe сверхвысоких энергий	Гайдук, П. И.; Тишков, В. С.; Комаров, Ф. Ф.; Веш, В.
1999	Диэлектрическая проницаемость кремния облученного большими дозами нейтронов	Жуковски, П.; Козак, М.; Партыка, Я.; Венгерэк, П.
1999	Кинетика термолиза оксалата серебра при импульсном лазерном воздействии	Маркевич, М. И.; Пискунов, Ф. А.; Подольцев, А. С.
1999	The application of atomic hydrogen effects in silicon and silicon electronic devices technologies	Ulyashin, A. G.; Fedotov, A. K.
1999	Особенности применения линзы для фокусировки рентгеновских лучей	Дудчик, Ю. И.; Кольчевский, Н. Н.; Комаров, Ф. Ф.
1999	Формирование скрытых изолирующих слоёв в кремнии при субстехиометрической имплантации ионов азота	Комаров, Ф. Ф.; Колковский, В. И.
1999	Устойчивость методов косвенной дозиметрии ионной имплантации	Гурский, Л. И.; Киселев, В. И.; Хитько, В. И.
1999	Surface modification of refractory alloys with high-power pulsed ion-beam treatment and arc-pulsed ion implantation	Shulov, V. A.; Nochovnaya, N. A.; Remnev, G. E.; Ryabchikov, A. I.
1999	Физика и технология трансмутационного легирования арсенида галлия	Быковский, В. А.; Хитько, В. И.

Результаты 1 - 20 из 1637 следующий >