Электронная библиотека БГУ: 2016. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2016. Материалы и структуры современной электроники : [111] Главная страница коллекции Статистика

В сборнике представлены материалы VII Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники». Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий.

Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, и может быть полезен аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей вузов.

Материалы и структуры современной электроники : сборник научных трудов VII Международной научной конференции, посвященной 50-летию кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 октября 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — 379 с. — (Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество).

Редакционная коллегия:

доктор физико-математических наук профессор В. Б. Оджаев (ответственный редактор); член-корреспондент НАН Беларуси, доктор технических наук, профессор В. А. Пилипенко; доктор физико-математических наук главный научный сотрудник А. Р. Челядинский; доктор физико-математических наук профессор П. Жуковски; доктор физико-математических наук профессор В. В. Петров; доктор физико-математических наук профессор Н. А. Поклонский; доктор физико-математических наук профессор М. Г. Лукашевич; кандидат физико-математических наук доцент В. В. Понарядов; кандидат физико-математических наук доцент Н. М. Лапчук; кандидат физико-математических наук доцент В. С. Просолович; кандидат физико-математических наук доцент И. И. Азарко; кандидат физико-математических наук доцент Н. И. Горбачук; кандидат физико-математических наук старший научный сотрудник С. А. Вырко; младший научный сотрудник А. Н. Олешкевич

ISBN 978-985-553-403-8

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 111

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2016	Фононные свойства мономолекулярных слоев твердых растворов MoS2–xTex	Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016	Спектроскопические характеристики УДА до и после термического воздействия	Азарко, И. И.; Гусаков, Г. А.; Оджаев, В. Б.; Янковский, О. Н.
2016	Моделирование приборных структур на основе графена	Абрамов, И. И.; Лабунов, В. А.; Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.
2016	Spatio-Temporal Low Dimensional Systems and Nanostructures	Samuilov, V.
2016	Nanosensor Applications of Carbon Nanotube Films	Poklonski, N.; Samuilov, V.
2016	Polymer Composite Films with Size-Selected Metal Nanoparticles	Hanif, M.; Fojan, P.; Popok, V. N.
2016	На пути к коллоидной оптоэлектронике	Гапоненко, С. В.
2016	Спиновый резонанс термобарически обработанного пиролитического графита	Лигачев, А. Е.; Лапчук, Н. М.; Леончик, С. В.; Олешкевич, А. Н.; Лапчук, Т. М.; Шевченко, Т. В.
2016	Радиационные дефекты в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2	Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.; Yakushev, M. V.
2016	Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремний	Оджаев, В. Б.; Карпович, В. А.; Просолович, В. С.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.
2016	Радиационные экраны для полупроводниковых приборов на основе композита системы W-Cu и эффективность их защиты от электронного излучения	Чушкова, Д. И.; Грабчиков, С. С.; Ластовский, С. Б.; Труханов, А. В.
2016	Эволюция состояния водорода при термообработке гидрогенизированного кремния	Смирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Покотило, Ю. М.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Кондратьева, Ю. А.
2016	Влияние изовалентной примеси кремния на образование и отжиг комплекса донор – вакансия в германии	Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.
2016	Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектам	Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2016	Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощения	Мурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016	Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнии	Толкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2016	Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2016	Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типа	Ластовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2016	Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмаза	Гусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 111

< предыдущий следующий >

2016. Материалы и структуры современной электроники : [111] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр