Электронная библиотека БГУ: 2016. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2016. Материалы и структуры современной электроники : [111] Главная страница коллекции Статистика

В сборнике представлены материалы VII Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники». Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий.

Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, и может быть полезен аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей вузов.

Материалы и структуры современной электроники : сборник научных трудов VII Международной научной конференции, посвященной 50-летию кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 октября 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — 379 с. — (Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество).

Редакционная коллегия:

доктор физико-математических наук профессор В. Б. Оджаев (ответственный редактор); член-корреспондент НАН Беларуси, доктор технических наук, профессор В. А. Пилипенко; доктор физико-математических наук главный научный сотрудник А. Р. Челядинский; доктор физико-математических наук профессор П. Жуковски; доктор физико-математических наук профессор В. В. Петров; доктор физико-математических наук профессор Н. А. Поклонский; доктор физико-математических наук профессор М. Г. Лукашевич; кандидат физико-математических наук доцент В. В. Понарядов; кандидат физико-математических наук доцент Н. М. Лапчук; кандидат физико-математических наук доцент В. С. Просолович; кандидат физико-математических наук доцент И. И. Азарко; кандидат физико-математических наук доцент Н. И. Горбачук; кандидат физико-математических наук старший научный сотрудник С. А. Вырко; младший научный сотрудник А. Н. Олешкевич

ISBN 978-985-553-403-8

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 61 по 80 из 111

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2016	Особенности вида профилей распределения примеси, формируемых миграцией неравновесных примесных атомов	Величко, О. И.
2016	Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях	Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Янковский, Ю. Н.
2016	Радиационное воздействие на параметры счетного триггера	Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И.
2016	Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior	Markevich, V. P.; Gusakov, V. E.; Lastovskii, S. B.; Murin, L. I.
2016	Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамики	Белько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2016	Depth Distribution of Defects in Electron Irradiated Diamond	Zaitsev, A. M.; Moe, K. S.; Wang, W.
2016	Новые аспекты ионной имплантации	Хайбуллин, Р. И.
2016	Структурно-фазовые изменения пленок оксидов олова при отжиге на воздухе	Адамчук, Д. В.; Ксеневич, В. К.
2016	Моделированиe технологии формирования НЭМС-конструкций	Юхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е.
2016	О корректности одной задачи диагностики электрофизических параметров прямозонных полупроводников методами катодолюминесцентной микроскопии	Туртин, Д. В.; Степович, М. А.; Поляков, А. Н.
2016	Исследование термостойкости гетероструктур «диэлектрик – GaAs»	Телеш, Е. В.
2016	Формирование изоляции мезаструктур интегральных схем на арсениде галлия	Телеш, Е. В.
2016	Свойства поверхности тыльных и лицевых контактов фотоэлектрических преобразователей, осаждаемых пассивно и при ионном ассистировании	Ташлыкова-Бушкевич, И. И.; Яковенко, Ю. С.; Бушкевич, И. А.; Бобрович, О. Г.; Ташлыков, И. С.
2016	Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волн	Сягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.
2016	Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полей	Стебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2016	Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме	Прокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.
2016	Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2	Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.
2016	Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016	Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоем	Новиков, А. Г.; Батулев, А. А.; Гайдук, П. И.
2016	Формирование межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектриком	Наливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.; Кисель, А. М.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 61 по 80 из 111

< предыдущий следующий >

2016. Материалы и структуры современной электроники : [111] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр